本文首先分别对第一代半导体材料、第二代半导体材料和第三代半导体材料进行了
2018-05-30 14:27
本文首先介绍了第三代半导体的材料特性，其次介绍了第三代半导体材料性能应用及优势，最后分析了了我国第三代
2018-05-30 12:37
半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学性质，是电子工业中不可或缺的基础材料。随着科技的进步和产业的发展，半导体材料经历了从第一代到
2024-10-17 15:26
本文首先介绍了第3代半导体主要应用领域的发展概况，其次介绍了第三代半导体电力电子器件和产业趋势，具体的跟随小编一起来了解
2018-05-31 14:38
随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
2025-05-22 13:58
GaN功率电子器件具有较高的工作电压、较高的开关频率、较低的导通电阻等优点，能够以极低的成本和较高的技术成熟度兼容硅基半导体集成电路工艺，在新一
2023-02-13 16:46
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V
2018-08-20 17:26
“封装工艺(Encapsulation Process)”用于进行包装密封，是指用某种材料包裹半导体芯片以保护其免受外部环境影响，这一步骤同时也是为保护物件所具有的“轻、薄、短、小”特征而设计。封装工艺
2023-06-26 09:24
半导体芯片在作为产品发布之前要经过测试以筛选出有缺陷的产品。每个芯片必须通过的 “封装”工艺才能成为完美的半导体产品。封装
2024-01-17 10:28
目前，国内外碳化硅功率电子分立器件商业化产品主要有功率二极管和SiC MOSFET。SiC功率二极管分为肖特基二极管（SBD）、PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管
2018-11-13 15:47
