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2024-07-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
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2024-07-06 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的14NM65N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有700V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极
2024-07-06 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介14NM65N-VB TO220F 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用平面(Plannar)技术。具有高耐压特性和适中的导通电阻,适用于中等功率应用中的功率控制和开关电路
2024-07-06 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET,具有550V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,±V)、3V的阈值电压(Vth)、260mΩ@VGS=10V
2024-07-06 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
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2022-07-14 14:41 深圳市港禾科技有限公司 企业号