AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20
典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸的混合水溶液。这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。加热反应所产生的热可加速刻蚀反应，接下来又
2018-12-21 13:49
降低成本，并具有超大规模增长的潜力。MACOM的端面刻蚀技术(EFT)能够推动云数据中心的光互连实 现颠覆性的发展，让云数据中心在成本和大规模生产方面获得双重突破。为了满足这种急速增长的带宽需求，各云
2017-10-24 18:13
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻
2022-08-31 16:29
新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！此职位为内部推荐，深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly刻蚀经验。
2017-04-29 14:23
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41
台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明，随着台面刻蚀深度的增大，器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿
2009-10-06 09:30
光纤的两个端面必须精密对接起来，以使发射光纤输出的光能量能最大限度地耦合到接收光纤中去。光纤线路的成功连接取决于光纤物理连接的质量，两个光纤端面需要达到充分的物理接触，如同融为一体的介质。物理接触
2020-01-10 11:11
-60 dB。 影响回波损耗的因素有端面脏污会导致回损值变小；光纤高度控制在+/-20nm，可以得到更好的回损值；以及光纤的精密对准度。为了让两根光纤的端面能够更好的接触，减少光的反射，光纤跳线的插芯
2023-06-06 16:32
0 引 言 机械密封技术发展迅速其中端面开槽的表面改型技术日趋成熟，出现了很多新结构和新产品。1968年约翰克兰公司伽德纳研制并试验出圆弧面螺旋槽非接触式机械密封；1979年伽布尔研制了平面惠普
2018-08-24 16:39
