降低成本，并具有超大规模增长的潜力。MACOM的端面刻蚀技术(EFT)能够推动云数据中心的光互连实 现颠覆性的发展，让云数据中心在成本和大规模生产方面获得双重突破。为了满足这种急速增长的带宽需求，各云
2017-10-24 18:13
降低成本，并具有超大规模增长的潜力。MACOM的端面刻蚀技术（EFT）能够推动云数据中心的光互连实 现颠覆性的发展，让云数据中心在成本和大规模生产方面获得双重突破。
2017-10-23 14:55
端面刻蚀技术（EFT）点亮数据中心向400G及更高速率之路为了满足数据通讯在视频和移动业务驱动下的爆发式增长，各云数据中心都在迅速向100G光互连过渡，并为逐步迈向200G、400G乃至更高速率做好
2017-11-17 10:11
摘要 利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了
2010-11-30 14:58
AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20
典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸的混合水溶液。这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。加热反应所产生的热可加速刻蚀反应，接下来又
2018-12-21 13:49
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻
2022-08-31 16:29
激光加工多孔端面机械密封 摘 要：介绍了激光加工多孔端面机械密封的结构特点，阐述了激光加工多孔端面机械密封的工作原理，指出端面微孔
2009-05-15 22:36
刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45
在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21
