MOSFET（U-MOSFET）作为新一代功率器件，近年来备受关注。本文将详细解析沟槽型SiC MOSFET的结构、特
2025-02-02 13:49
N沟道耗尽型MOSFET 1) N沟道耗尽型MOSFET的结构 N
2009-09-16 09:41
（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导
2023-06-05 15:12
极（ Drain ）和源极（ Source ）。功率 MOSFET 为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的 MOSFET 的结构
2023-06-28 08:39
横向型MOSFET，又称之为横向导电型的MOSFET，结构如下图所示。这里横向的意思是指电流的流动方向与晶圆衬底之间的方
2023-06-25 17:14
MOS结构加上一对背靠背的PN结，就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的，此时由于PN结的反向截止效果，源漏之间不会导通。当外加栅压使半导
2023-11-30 15:54
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的
2023-02-16 09:40
MOSFET可进一步分为耗尽型和增强型。这两种类型都定义了MOSFET的基本工作模式，而术语MOSFET
2023-06-28 18:17
N沟道增强型MOSFET N沟道增强型MOSFET的工作原理 1) N沟道增强型
2009-09-16 09:38
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32
