离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
2024-02-21 10:23
本文详细介绍离子注入技术的特点及性能，以及离子注入技术的英文全称。
2011-05-22 12:13
离子注入的特点,与通常的冶金方法不同,离子注入是用高能量的离子注入来获得表面合金层的,因而有其特点。
2011-05-22 12:27
详细介绍离子注入技术的工作原理和离子注入系统原理图。
2011-05-22 12:24
离子注入设备和方法:最简单的离子注入机（图2）应包括一个产生离子的离子源和放置待处理物件的靶室。
2011-05-22 12:29
离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注入可以独立控制掺杂浓度和结深，掺杂物浓度可以
2023-05-08 11:19
想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20
离子注入是一种重要的半导体工艺，用于在材料中引入离子，改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子的注入过程进行建模和模拟
2023-12-21 16:38
离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。
2011-05-22 12:13
离子注入后退火是半导体器件制造中的一个关键步骤，它影响着器件的性能和可靠性。 离子注入是将掺杂剂离子加速并注入到硅晶圆中，以改变其电学性质的过程。而退火是一个热处理过程
2025-01-02 10:22
