离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
2024-02-21 10:23
离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注入可以独立控制掺杂浓度和结深，掺杂物浓度可以
2023-05-08 11:19
想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20
掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是
2023-07-07 09:51
本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
2024-11-09 11:09
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会形成n型和p型阱接触的有源区，或者n型和p型有源区电阻，以及n型和p型多晶硅电阻。
2024-11-09 10:04
统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵，但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深，虽然也会给衬底引入大量的点缺
2023-12-22 09:41
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
单晶硅是一种绝缘体，因此它本身并不具备导电性。那么，我们该如何使它能够导电呢？让我们来看一下硅的微观结构。
2024-11-04 16:19
