上帝在调情 发表于: 2010-5-28 10:45 来源: 电子发烧友网 1． 什么是离子注入? 离子注入（Ion Implant）是一种把高能量的掺杂元素的离子注入半导体晶片中，以得到所需要的掺杂浓度和结深的
2011-05-22 13:00
本文详细介绍了离子注入高效SE电池。
2017-11-06 17:27
离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 靶 ）而实现掺杂。
2011-05-22 12:40
离子注入的特点是加工温度低，易做浅结，大面积注入杂质仍能保证均匀，掺杂种类广泛，并且易于自动化。由于采用了离子注入技术，大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展
2011-05-22 12:56
离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术,其利用离子注入机实现半导体的掺杂,即将特定的杂质原子（Dopant）以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其导电特性并
2011-05-22 12:34
系统介绍了金属表面改性用离子注入的机理和特点。剖析了温度、注入剂量、离子种类等影响因子对改性层效果的影响，综述了该技术在提高强度和硬度、改善磨损性能、降低摩擦系数
2011-05-22 12:42
F根据直升机传动系统干运转能力的要求,用销盘试验机测定了Mo离子注入量及润滑条件对齿轮钢I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因数和磨损量的影响I结果表明FMo离子注入对摩擦因数影响很小,但可大大
2011-05-22 13:06
离子注入生物诱变是不同于传统辐射生物学的人工诱变新方法。在离子注入生物诱变实验中, 真空室真空度及其稳定性影响着生物样品的存活状态; 注入剂量决定着生物样品的辐射损伤程
2011-05-22 13:02
M5525100－1/UM型大角度离子注入机:M5525100－1/UM 型大角度离子注入机可满足100 纳米，8 英寸集成电路制造工艺的要求，适合源漏区的大角度晕、袋、栅阈值调整、阱等注入，可获得良好
2009-12-19 12:57
半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体，以改变半导体，尤其是表面层的电学性质． 注入一般在50-500kev能量下进行 离子注入的优点
2011-05-22 12:37
