上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBS
2023-05-25 10:18 伯东企业（上海）有限公司 企业号
成特定的图形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜
2024-09-13 10:59 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型
2023-05-25 10:22 伯东企业（上海）有限公司 企业号
泊苏 Type C 系列防震基座在半导体光刻加工电子束光刻设备的应用案例-江苏泊苏系统集成有限公司一、企业背景与光刻加工电子束光刻设备挑战某大型半导体制造企
2025-01-07 15:13 江苏泊苏系统集成有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔
2023-05-11 13:26 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 大尺寸考夫曼离子源 KDC 160 适用于 2-4英寸的硅片刻蚀和清洁应用, KRi KDC 160 是直流栅网离子源, 高输出离子束电流超过 1000mA. 高功率光束无需
2024-09-13 10:10 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东客户日本某生产半导体用光刻机公司, 光刻机真空度需要达到 1x10-11 pa 的超高真空, 因为设备整体较大, 需要对构成光刻机的真空相关部件进行检漏且要求清洁无油, 满足无尘室使用要求
2022-08-04 17:18 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东客户某***生产商, 生产的电子束*** Electron Beam Lithography System 最大能容纳 300mmφ 的晶圆片和 6英寸的掩模版, 适合纳米压印, 光子器件
2023-06-02 15:49 伯东企业（上海）有限公司 企业号
半导体设备光刻机防震基座在 LCD 面板制造曝光机中的成功应用案例-江苏泊苏系统集成有限公司一、案例背景在 LCD（Liquid Crystal Display）面板制造领域，曝光机
2024-12-24 14:43 江苏泊苏系统集成有限公司 企业号
上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面
2023-05-25 10:10 伯东企业（上海）有限公司 企业号
