宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质，使其在许多高科技领域具有广泛的应用。 在现代电子学和光电子学中，半导体材料扮演着至关重要
2024-07-31 09:09
宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。半导体材料的禁带宽度越大，对应电子跃迁导
2023-02-02 15:13
宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。
2022-08-02 17:22
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域，包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半导体材料的发展瓶颈，受到了业界的青睐。
2023-02-23 17:59
行业标准的收紧和政府法规的改变是提高产品能效的关键推动因素。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58
随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。 编者按： 近年来，以氮化镓和碳化硅两种主要新材料为代表的宽禁带半导体，展示出高频、高压、高温等独特的
2022-10-28 11:04
对于宽禁带半导体行业目前概况，吕凌志博士直言，宽禁带半导体行业主要有衬底、外延、器件三大段，由于每部分的物态形式、设备控制都不一样，要想做好这个行业的MES软件，就必须
2022-07-05 12:44
