）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58
目前电气化仍是减少碳排放的关键驱动力，而对高效电源的需求正在加速增长。与传统硅器件相比，宽禁带技术，如碳化硅（SiC）和氮化镓（ GaN）等仍是促进功率转换效率的关键。工程师必须重新评估他们的验证和测试方法，以应对当今电气化的挑战。
2025-02-19 09:37
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，被业界一直看好。
2018-10-10 16:57
在了解UWBG半导体之前，我们先回顾一下WBG半导体有别于传统硅器件的地方。WBG半导体与同等的硅器件相比更小、更快、更高效。WBG器件能在极具挑战性的操作条件下提供极高的可靠性。在电力电子领域，WBG与Si相比具有如下特性：损耗低、效率高、开关频率高、设计紧凑、耐高温、在恶劣环境下的仍能稳定工作，以及高击穿电压等特性。此外，WBG的应用范围十分广泛，从电机驱动器和电源等工业应用，到混合动力和电动汽车 (HEV/EV)、光伏 (PV) 逆变器、铁路和风力涡轮机等汽车和运输系统都有所涉及。WBG产品供应商有：
2023-05-09 10:35
西安电子科技大学微电子学院周弘副教授总结了目前氧化镓半导体功率器件的发展状况。着重介绍了目前大尺寸衬底制备、高质量外延层生长、高性能二极管以及场效应晶体管的研制进展。同时对氧化镓低热导率特性的规避提供了可选择的方案，对氧化镓未来发展前景进行了展望。
2019-01-10 15:27
现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。
2016-04-29 15:25
的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
2021-05-01 09:56
不同方法制备ZnS材料的光学性能差别较大。CVT制备技术采用ZnS粉末原料和气体输运剂如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶体中引入不同程度的杂质缺陷，严重影响ZnS的光学透过性能，限制了该技术在红外光学领域的应用与进一步发展。
2022-07-07 17:04
