碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温，高频，抗辐照，大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防
2021-02-01 11:28
器件性能的限制被认识得越来越清晰。实现低导通电阻的方法是提高材料的临界击穿电场，也就是选择宽禁带的半导体材料。
2021-03-01 16:12
现代宽禁带功率器件（SiC， GaN）上的开关晶体管速度越来越快，使得测量和表征成为相当大的挑战，在某些情况下几乎不可能实现。隔离探测技术的出现改变了这种局面，通过这一技术，设计人员终于能够放心
2020-12-14 23:36
作者 | 薛定谔的咸鱼 第三代半导体 主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体，它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点
2023-02-27 15:19
行业标准的收紧和政府法规的改变是使产品能效更高的关键推动因素。例如，数据中心正在成倍增长以满足需求。它们使用的电力约占世界总电力供应（400千瓦时）的3%，占温室气体排放总量的2%。航空业的碳排放量也一样。随着对能源的巨大需求，各国政府正在采取更严格的标准和新的监管措施，以确保所有依赖能源的产品都需具有最高能效。
2020-12-08 10:27
工作原理（发射极零偏压、集电极正偏压）基区注入光脉冲时，载流子在能带之间跃迁，并导致电子空穴倍增，当基区中的光生电子向集电区移动时，空穴就会复合掉一小部分从发射极注入的电子，大多数未被复合的电子就到达集电极随着光脉冲的断开，基区中载流子快速复合，PSD便处于关态，同时，异质pn结将承受很大的发射极、集电极电压
2021-03-08 16:19
第一代、第二代、第三代半导体之间应用场景是有差异的。以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体应用场景十分广泛， 从尖端的CPU、GPU、存储芯片，再到各种充电器中的功率器件都可以做。虽然在某些领域的性能方面表现不佳，但还有性价 比助其占据市场。第二代半导体以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP）为代表，主要应用领域为光电子、微电 子、微波功率器件等。第三代半导体以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金
2023-02-27 15:20
这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54
全面监管，仍有住户无视要求，强行乘车上楼，贴通告、楼组长志愿者宣传提醒、物业居委会上门劝阻等传统老做法收效甚微，人力监管困难。电动车禁入电梯智能检测解决方案能够实现实现高准确率的视频检测，避免了复杂方案
2020-09-13 13:24
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-07-15 10:25
