目前在做砷化镓和磷化铟，在研究bongder和debonder工艺， 主要是超薄片很难处理，so暂定临时键合解键合和薄片清洗流程，因为正面有保护可以做背面工艺，这里有前辈做过这个吗？
2018-12-17 13:55
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16
Agilent Technologies instrumentation 产品。 关键词—DHBT, 磷化铟, 晶体管, 测试仪器，GaAsSb
2019-07-04 06:52
、磁阻元件、磁敏二极管、磁敏三极管等。主要材料有锑化铟、砷化铟、锗和硅等。这类器件的优点是结构简单，体积小，易于集成化，耐冲击，频响宽（从直流到微波），动态范围大，而且可以实现无接触检测，不存在磨损，抗污染，不产生火花，使用安全，寿命长，因此它在测量技术、自动控制
2019-09-10 10:42
哪种半导体工艺最适合某一指定应用？对此，业界存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-02 08:23
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01
锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来，是一种高于普通硅器件的高频半导体材料，应用领域非常广泛，尤其在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：下变频器、低噪声放大器（LNA）、前置放大器（Preamplifier）、WLAN功率放大器等。由于SiGe技术具有高频特性，现已广泛应用在电子测试产品中，如泰克（Tektronix）公司的TDS7000系列高频示波器，带宽高达15GHz，那么什么是SiGe技术呢？
2019-05-28 06:06
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13
