单面磷化铟晶片的制备方法主要包括以下步骤： 一、基本制备流程 研磨：采用研磨液对InP（磷化铟）晶片进行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化铝）和悬浮剂，其中Al
2024-12-11 09:50 广州万智光学技术有限公司 企业号
光子集成芯片所需的材料多种多样，主要包括硅、氮化硅、磷化铟、砷化镓、铌酸锂等。这些材料各有其特性和应用领域，适用于不同的光子器件和集成芯片设计。
2024-03-18 15:27
HMC434是一款低噪声、静态、8分频预分频器单芯片微波集成电路(MMIC)，利用磷化铟镓/砷化镓(InGaP/GaAs)异质结双极性晶体管(HBT)技术，采用超小型6引脚SOT-23表贴封装。
2025-04-17 14:23
激光器芯片根据材料体系有GaN基蓝光系列、砷化镓、磷化铟等组合起来的三元或者四元体系。每一种体系由于其最优的外延基板不同，P、N面打金线方向不同，有正负极同向、有反向。
2023-10-19 11:27
在上周的推文中，我们回顾了半导体材料发展的前两个阶段：以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代。（了解更多 - 泛林小课堂 | 半导体材料“家族史”大揭秘（上））
2023-09-14 12:19
第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。还有一些固溶体半导体
2018-11-26 16:13
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2017-11-25 16:19
半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN
2023-05-05 17:46
硅在历史上一直是电子产品的主要材料，而光电子领域的工作几乎完全依赖于GaAs和磷化铟等ⅲ-ⅴ族化合物材料。这种材料系统二分法的主要原因是硅的间接带隙结构使其发光不切实际。然而，在多孔硅中观察到的室温可见光致发光1 (PL)已经证明了用于光电应用的实用、高效硅基发射
2022-04-08 14:49
（GaAs）、磷化铟（InP）和磷化镓（GaP）为代表， 相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，广泛应用于光电子和微电子领域； 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚 石（C）、
2024-10-16 13:58
