（Sapphire）与碳化矽（SiC）基板为主，且重大基本专利掌握在日本、美国和德国厂商手中。有鉴于专利与材料种种问题，开发矽基氮化镓（GaN-on-Si）磊晶技术遂能摆脱关键原料、技术受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39
在硅材料的高压超级结功率晶体中，磊晶层的通态电阻占总通态电阻的90%以上。
2021-10-25 09:32
VCSEL为垂直共振之半导体laser，自1980年代末被提出，1996年被商业化，Honeywell推出VCSEL传输模组，发光及检光的原材料以砷化镓 (GaAs)、砷化镓铟(InGaAs)为主，采有机金属气相沉积法( MOCVD )制成磊晶圆。
2017-11-28 10:23
由上述 InP 系列材料面射型雷射发展可以发现，要制作全磊晶结构的长波长面射型雷射难度较高，因此在1990年中期开始许多光通讯大厂及研究机构均投入大量资源开发与砷化镓基板晶格匹配的主动层发光材料
2025-02-07 11:08
孪晶诱导细晶强化，相互交错的孪晶界将母晶分割成若干细小的晶粒，诱发Hall-Petch效应的同时也会阻碍位错的运动，位错在晶
2024-01-06 10:55
非晶纳米晶磁芯是一种具有特殊磁性特性的材料，广泛应用于电子和电力领域。这种材料的磁性能主要来源于其独特的微观结构，即非晶态和纳米晶态的结合。 1. 非晶纳米晶磁芯的基本
2024-10-09 09:10
纳米晶软磁合金是非晶态带材通过特殊的热处理工艺实现的。首先把具有特定成分的非晶态带材放进热处理炉里通过定向控制生成100纳米以内的晶粒，实际上形成的是非晶和纳米晶的混合结构。
2018-09-29 14:14
晶振通常分为无源晶振和有源晶振两种类型，无源晶振一般称之为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（
2020-01-27 11:13
本文开始介绍了晶圆的概念和晶圆的制造过程，其次详细的阐述了晶圆的基本原料，最后介绍了晶圆尺寸的概念及分析了晶圆的尺寸是否
2018-03-16 14:50
