电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。
2023-06-27 10:08
由于磁控溅射铁磁性靶材的难点是靶材表面的磁场达不到正常磁控溅射时要求的磁场强度，因此解决的思路是增加铁磁性靶材表面剩磁的强度，以达到正常溅射工作对靶材表面磁场大小的要求。
2019-04-29 11:34
太空中的电子系统暴露在大量危险之中。除此之外，如果没有地球保护磁场使粒子偏转，没有地球大气层吸收太阳及宇宙射线，系统将暴露在更大强度的波辐射及粒子辐射中。半导体器件特别容易受到粒子辐射的影响，这可能会导致组件或系统故障。
2023-06-15 11:45
通过分析光谱，此时UV LED的峰值波长为368nm（图3a）。在这种波长下，磁控溅射工艺ITO膜的透过率为86%，MOCVD工艺ITO膜的透过率为95%。 然而磁控溅射工艺ITO膜的电阻率小于使用MOCVD工艺的ITO膜，
2018-08-08 18:16
在现代工业和科技应用中，压力变送器是不可或缺的关键元件之一。而在特定环境下，如受到高强度震动冲击、高温高压等极端条件的影响时，溅射薄膜压力变送器就显得尤为重要。溅射薄膜技术是一种先进的制造工艺，它为
2023-11-22 17:40
磁控溅射技术是在真空中，经电场作用，将氩气电离成Ar+正离子，Ar+经加速后撞击靶材膜料，从而溅射到衬底上，制成薄膜。
2024-03-20 11:27
单片集成的小型调频发射电路图
2014-07-28 11:08
