碳基集成电路技术被认为是最有可能取代硅基集成电路的未来信息技术之一。“3微米级碳纳米管集成电路平台工艺开发与应用研究”的
2020-05-30 11:17
体等诸多优异的电学特性，因此成为后摩尔时代新型半导体材料的有力候选。基于碳纳米管的碳基电子技术历经二十余年发展，在材料制备、器件物理和晶体管制备等基础性问题中也已经取得
2022-03-16 14:53
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代
2017-11-25 16:19
第一代半导体：硅（Si） 第一代半导体主要是指硅基半导体材料。硅是一种广泛应用的半导体材料，因其成熟的制备工艺、稳定的
2024-10-17 15:26
在半导体制造过程中，精确控制温度是至关重要的。无论是晶圆加工、刻蚀、沉积还是电镀等环节，温度的微小波动都可能对最终产品的性能和可靠性产生重大影响。因此，提高半导体温控精度是半导体行业持续追求的目标。本文将深入探讨如何
2024-10-09 10:51 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
12月2日消息，实现用声波控制固体的光学性质：来自瑞士、德国和法国的物理学家发现，由超短激光脉冲发射的大振幅声波，可以动态操纵半导体的光学响应。材料科学研究的主要挑战之一是：在室温下实现半导体光学
2020-01-30 17:17
具有高增益和高输出功率的硅基混合III-V半导体光放大器在许多应用中非常重要，如光收发器、集成微波光子学和光子波束成形。
2024-12-30 16:15
半导体靶材是半导体材料制备过程中的重要原料，它们在薄膜沉积、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）等多种技术中发挥着关键作用。本文将详细介绍半导体靶材的种类以及
2024-09-02 11:43 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2018-05-28 15:33
