硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于
2023-02-27 16:03
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于
2023-02-03 14:54
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于
2019-12-09 13:58
提出一种耐高温200℃的碳化硅MOSFET驱动电路。该驱动电路采用双极性结型晶体管（ BJT）作为开关器件，避免了高温下硅基MO
2018-04-20 16:15
近年来，以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管，以其宽带隙，高电场强度，良好散热特性，以及高可靠性等特点，为客户
2018-09-24 09:13
目前，大晶磊半导体可以为市场提供通过90kV BIL测试的碳化硅驱动模块。而且此驱动模块可以将碳化硅MOSFET的开关频
2019-04-11 14:24
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趋势中，驱动隔离供电方案的性能与成本成为关键制约因素。基本半导体的 BTP1521P 和 BTP1521F 通过技术整合与设计创新，完美适配SiC器件的需求，成为推动硅基向碳化硅
2025-03-01 10:16
BASiC Semiconductor（基本半导体）作为领先的碳化硅（SiC）功率器件及驱动解决方案提供商，始终致力于通过技术创新推动电力电子系统的高效化与智能化。其最新推出的隔离型门极驱动器及低边
2025-06-19 16:51
碳化硅（SiC）MOSFET的Vgs正负驱动电压限制的根本原因源于其栅氧化层（通常为SiO₂）的电场耐受能力和界面特性，需在栅氧可靠性与器件性能之间进行权衡。以下是具体分析： 倾佳电子
2025-05-05 18:20
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44
