MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此，
2023-06-02 15:33
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于
2023-02-03 14:54
碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有在高频
2023-12-21 10:51
的开关速度会使得串扰行为更容易发生，也会更容易发生误开通现象，所以如何有效可靠地驱动碳化硅MOSFET至关重要。我们发现，如果在
2024-06-21 09:48
碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点， 是替代高压硅MOSFET 的理想器件
2024-04-01 11:23
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于
2019-12-09 13:58
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32
目前，大晶磊半导体可以为市场提供通过90kV BIL测试的碳化硅驱动模块。而且此驱动模块可以将碳化硅MOSFET的
2019-04-11 14:24
我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然
2023-02-21 10:04
