的开关速度会使得串扰行为更容易发生,也会更容易发生误开通现象,所以如何有效可靠地驱动碳化硅MOSFET至关重要。我们发现,如果在
2024-06-21 09:48
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于
2019-12-09 13:58
碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术,它可以用于控制电流和电压,以及检测电阻、电容、电压和电流等参数,以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技术的关键技术包括
2023-02-15 16:19
各位小伙伴,不久前我们推送了“SiC科普小课堂”视频课——《什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?》后反响热烈,很多朋友留言询问课件资料。今天,我们将这期视频的图文讲义奉上,方便大家更详尽地了解在驱动
2024-12-19 11:39
碳化硅MOSFET器件是一种半导体器件,它可以用于控制电流和电压,以及检测电阻、电容、电压和电流等参数,以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET器件可以用于各
2023-02-15 16:05
对于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件而言,优化的栅极驱动尤为重要。此类转换器的快速开关需仔细考量寄生参数、过冲/欠冲现象以及功率损耗最小化问题,而驱
2025-05-08 11:08 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
(JFET)以及现在的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。碳化硅功率器件在这些碳化硅功率器件的开关性能中,制造商通常需要在栅极
2024-05-30 11:23 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
碳化硅(SiC)技术的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统,SiC MOSFET就能为许多行业的许多不同应用提供高效率,包括那些必须在恶劣环境中运行的应用。
2023-08-16 10:28
近年来,以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管,以其宽带隙,高电场强度,良好散热特性,以及高可靠性等特点,为客户
2018-09-24 09:13
碳化硅(SiC)技术的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统,SiC MOSFET就能为许多行业的许多不同应用提供高效率,包括那些必须在恶劣环境下运行的应用。
2023-07-21 11:42