硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于
2023-02-27 16:03
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动
2018-08-27 13:47
。 碳化硅近几年的快速发展 近几年来，低碳生活也是随之而来，随着太阳能产业的发展，作为光伏产业用的材料，碳化硅的销售市场也是十分火爆，许多磨料磨具业内人开始关注起
2019-07-04 04:20
具有决定性的影响。因此，深入理解栅极氧化层的特性，并掌握其可靠性测试方法，对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科普小课堂”将聚焦于“栅极氧化层”这一新话题：“什么是栅极
2025-01-04 12:37
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44
设计CoolSiC电路时允许选择新的驱动集成电路器，则值得考虑具有较高欠压锁定（约13V）的驱动集成电路，以确保Cool
2023-03-14 14:05
产品尺寸，从而提升系统效率。而在实际应用中，我们发现：带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，也更有利于分立器件的驱动
2023-02-27 16:14
MOSFET 漏极出现浪涌并因寄生效应意外打开时。这种导通会产生从高压到地的短路，从而损坏电路。 如何驱动碳化硅场效应管 考虑到卓越的材料性能，这个问题提出了如何
2023-02-24 15:03
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30
特点, 高压输入隔离DC/DC变换器的拓扑可以得到简化（从原来的三电平简化为传统全桥拓扑）。碳化硅MOSFET在软开关桥式上具有以下明显的优势:高阻断电压可以简化拓扑设计,电路从复杂三电平变为两电平全
2016-08-05 14:32
