，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅
2019-01-11 13:42
商用。 碳化硅肖特基二极管从2001年开始商用，至今已有20年商用积累，并在部分高中端电源市场批量应用，逐步向通用市场渗透，具备广阔的市场前景。 碳化硅材料在禁带宽度和临界击穿场强等关键特性上具有
2023-02-28 16:55
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化
2023-02-20 15:15
采用双脉冲测试方法对图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件和纯硅 IGBT进行对比测试，以评估续流二极管（硅快恢复二极管或
2023-02-28 16:48
的整体系统尺寸，更小的整体成本，高温下更高的可靠性，同时降低功率损耗。创能动力可提供碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅
2023-02-22 15:27
