硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要
2023-02-27 16:03
具有决定性的影响。因此，深入理解栅极氧化层的特性，并掌握其可靠性测试方法，对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科普小课堂”将聚焦于“栅极氧化层”这一新话题：“什么是栅极
2025-01-04 12:37
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44
，TO-247-4这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响 （1）双脉冲测试时的重要注意事项---电流探头的相位
2023-02-27 16:14
和分析，为满足不同的市场需求，基本半导体为图腾柱无桥PFC这一硬开关拓扑设计了能同时兼顾效率与性价比的混合碳化硅分立器件，同时也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案。 04 对比
2023-02-28 16:48
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39
员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管（Si
2023-03-14 14:05
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30
