碳化硅MOSFET模块，全球市场总体规模，前二十大厂商排名及份额
2023-09-13 21:52
半导体领域的创新者英飞凌科技近日发布了一款革命性的数字驱动评估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR，专为2kV碳化硅MOSFET模块设计。这款评估板为工程师们提供了一个快速、便捷的测试平台，以评估基于2kV
2024-05-11 11:33
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极
2022-02-01 20:22
东芝面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。
2021-02-25 14:14
稳定性和高功率密度，解决了IGBT模块在电镀和高频电源中的瓶颈问题。随着技术成熟和成本下降，SiC将全面取代IGBT，推动电源行业向更高效、紧凑、可靠的方向演进，实现颠覆性变革。 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块
2025-04-12 13:23
碳化硅具备耐高温、耐高压、高频率、高效率等特性，发展势头迅猛。基于碳化硅特性，碳化硅驱动器相较于硅器件驱动器有其特殊要求，面临不同的设计挑战。青铜剑技术针对碳化硅的应用
2022-12-29 11:34
东芝电子宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35
东芝两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A
2024-12-17 15:43
