开关器件在运行过程中存在短路风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受时间更短。
2023-02-12 15:41
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFE
2023-02-27 16:03
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET
2019-12-09 13:58
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基
2023-02-28 16:48
碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点， 是替代高压硅MOSFET 的理想器件之一。
2024-04-01 11:23
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性
2018-08-27 13:47
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02
碳化硅器件与硅器件的对比，开关特性，导通特性对比。
2018-01-24 15:25
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅
2021-03-29 11:00
碳化硅（SiC）MOSFET作为替代传统硅基IGBT的新一代功率器件，在电动汽车、可再生能源、高频电源等领域展现出显著优势，随着国产
2025-03-13 11:12
