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  • 碳化硅MOSFET器件结构和特性!

    SiC(碳化硅)是由硅和碳化物组成的化合物半导体。与硅相比,SiC具有许多优势,包括10倍的击穿电场强度,3倍的带隙,以及实现器件结构所需的更广泛的p型和n型控制。

    2022-11-21 12:08

  • 碳化硅MOSFET器件的特性优势与发展瓶颈!

      碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域,受到大家的喜爱,不断地推陈出新,大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出,市场反应碳化硅器件的效果非常好,但似

    2017-12-13 09:17

  • 碳化硅MOSFET器件结构、特点特性及应用分析

    对于硅,随着耐压的升高,每单位面积的电阻也会增加(大约是耐压的2.5次方的平方)。因此,IGBT(绝缘栅双极晶体管)主要用于600V以上的电压。IGBT能够通过电导调制提供比MOSFET更低的导通电阻,其中少数载流子(空穴)被注入漂移层。

    2022-11-28 15:05

  • 倾佳电子电源拓扑与碳化硅MOSFET器件选型应用深度报告

    倾佳电子电源拓扑与碳化硅MOSFET器件选型应用深度报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。他们主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源

    2025-08-17 16:37

  • 三安集成打造碳化硅MOSFET器件量产平台,提升电源系统功率密度

    中国化合物半导体全产业链制造平台——三安集成于日前宣布,已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试,其可广泛

    2020-12-04 14:18

  • 深圳基本半导体公司成功研发沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及制备技术

    具体来说,该结构由以下几部分组成:首先是n+型碳化硅衬底,接着是n-型漂移层和n型电流传输层,这三者自下而上依次排列。在n型电流传输层的顶部,从外部向内部依次设有p+型基区、n+型源区以及栅氧化层,其中栅氧化层还包覆着多晶硅栅。

    2024-04-19 16:09

  • 罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件

    通过使用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚得以分离,从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。

    2020-08-27 17:44

  • 碳化硅MOSFET的使用方法和效率高的原因

      碳化硅MOSFET器件是一种半导体器件,它可以用于控制电流和电压,以及检测电阻、电容、电压和电流等参数,以确定电子设备是否正常工作。

    2023-02-15 16:05

  • 科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破!

      科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破,为更多大功率应用带来更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件

    2012-05-10 09:27

  • Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

    支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅

    2018-11-03 11:02