SiC（碳化硅）是由硅和碳化物组成的化合物半导体。与硅相比，SiC具有许多优势，包括10倍的击穿电场强度，3倍的带隙，以及实现器件结构所需的更广泛的p型和n型控制。
2022-11-21 12:08
碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出，市场反应碳化硅元器件的效果非常好，但似
2017-12-13 09:17
对于硅，随着耐压的升高，每单位面积的电阻也会增加（大约是耐压的2.5次方的平方）。因此，IGBT（绝缘栅双极晶体管）主要用于600V以上的电压。IGBT能够通过电导调制提供比MOSFET更低的导通电阻，其中少数载流子（空穴）被注入漂移层。
2022-11-28 15:05
中国化合物半导体全产业链制造平台——三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80m＆Omega；产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛
2020-12-04 14:18
具体来说，该结构由以下几部分组成：首先是n+型碳化硅衬底，接着是n-型漂移层和n型电流传输层，这三者自下而上依次排列。在n型电流传输层的顶部，从外部向内部依次设有p+型基区、n+型源区以及栅氧化层，其中栅氧化层还包覆着多晶硅栅。
2024-04-19 16:09
通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
2020-08-27 17:44
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET
2025-01-04 12:37
碳化硅MOSFET器件是一种半导体器件，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。
2023-02-15 16:05
科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在
2012-05-10 09:27
支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅
2018-11-03 11:02
