东京——东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）今日宣布了一种可提高碳化硅（SiC）MOSFET[1]可靠性的新
2021-03-15 11:30
碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升
2023-01-05 11:23
国产SiC碳化硅MOSFET在充电桩和车载OBC（车载充电机）等领域出现栅氧可靠性问题后，行业面临严峻挑战。面对国产SiC碳化硅
2025-04-20 13:33
碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升
2021-08-16 10:46
为什么现在越来越多的客户一看到SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商聊的第一个话题就是碳化硅MOSFET的栅氧可靠性，
2025-04-03 07:56
基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长，导通电阻小，阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅
2019-01-17 15:40
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金
2023-06-02 15:33
部分国产SiC碳化硅MOSFET厂商避谈栅氧可靠性以及TDDB（时间相关介电击穿）和HTGB（高温栅偏）报告作假的现象，反映了行业深层次的技术矛盾、市场机制失衡与监管漏洞。以下从根本原因和行业乱象
2025-04-07 10:38
部分国产碳化硅MOSFET厂商“避谈栅氧可靠性”的本质：电性能的显性参数与栅氧可靠性的隐性质量的矛盾 部分国产碳化硅
2025-04-27 16:26
碳化硅已被证明是高功率和高电压设备的理想材料。但是，设备的可靠性极其重要，我们不仅指短期可靠性，还指长期可靠性。性能、成本和可制造
2022-08-09 08:02
