HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模块，采用业界公认的汽车封装，针对牵引逆变器和电机驱动器进行了优化。为了提供汽车级HPDSiC功率模块
2023-02-20 16:26
*附件：国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
2025-01-20 14:19
CISSOID在论文中提出了一种新的栅极驱动板，其额定温度为125°C（Ta），它还针对采用半桥式SiC MOSFET的62mm功率模块进行了优化。
2019-08-05 17:07
CMT-TIT0697栅极驱动器板被设计为可直接安装在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模块上。凭借可提供每通道高达2.5W
2020-01-15 08:09
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID，在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会（PCIM 2019）上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT
2019-05-16 09:10
10μs，在设计硅IGBT的短路保护电路时，建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。 2）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET
2023-02-27 16:03
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC
2023-02-20 16:29
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V
2021-03-27 19:40
10月26-27日，以“创芯致远，共赢未来”为主题的2023基本创新日活动在深圳隆重举办。基本半导体总经理和巍巍博士在会上正式发布了 第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅
2023-10-30 14:48
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅
2025-01-04 12:37
