碳化硅和igbt的区别 碳化硅（SiC）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用，但在结构、材料、性能和应用方面存在一些
2023-12-08 11:35
本文探讨了碳化硅和IGBT器件在未来的应用前景和发展趋势，以及如何通过技术创新和优化来满足不同应用的需求。其中，英飞凌作为国际品牌的代表，其第四代产品已经超过专利期，第七代产品受专利保密影响，国内
2023-10-28 09:59
功率器件分为泛材类器件与IGBT器件两类，IGBT器件是开关器件，优势在于体积小、寿命长、可靠性高，现在市场上使用程度最大的是第4代器件，全球龙头企业为英飞凌，其现在的IGBT器件为商业化的第七代，主要应用于乘用车、
2023-11-08 11:49
SiC MOSFET被推广为使用IGBT的现有设计的绝佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆变器和风力涡轮机>1000 V应用的支柱，提供中速开关。
2022-11-01 10:38
自电动汽车大规模普及的早期阶段以来，碳化硅(SiC)和其他宽禁带(WBG)技术就被认为是电池电动汽车子系统的理想选择。与传统硅材料相比，宽禁带材料具有更高的禁带宽度和击穿电压，可实现更高的电流密度、更高的开关频率以及更低的总损耗。
2025-01-08 11:38 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
当前，碳化硅基功率器件面临着严峻的挑战，现有的碳化硅基肖特基二极管，MOSFET等器件并不能有效地满足实际应用需要，对IGBT器件的需求日益迫切，必须突破碳化硅基
2020-01-23 17:05
igbt和碳化硅区别是什么？ IGBT和碳化硅都是半导体器件，它们之间的区别主要体现在以下几个方面。 一、材料： IGBT
2023-08-25 14:50
在全球范围内，有多家企业生产IGBT/碳化硅模块，以下是一些知名的企业。
2024-01-25 14:01
碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技术的关键技术包括结构设计、材料选择、工艺制程、测试技术等。
2023-02-15 16:19
