随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17
“经电学特性测试后，相应数据与国际SiC龙头企业美国科锐公司同类芯片产品的导通电阻相当。”王俊介绍，由于引入了场板分离型的分裂栅结构，芯片具有更低的反向传输电容，高频优值接近国外先进水平，较之传统平面栅结构器件指标数值明显改善。
2023-07-28 14:21
年开始实施，全新配置6寸工艺线，将成为国内首家规模化生产碳化硅MOSFET芯片和模块的企业。 中科汉韵成立于2019年1月，位于江苏徐州经济技术开发区，是由中国科学院微电子研究所和徐州中科芯韵
2020-11-06 14:34
展现出巨大的应用潜力。近日，国家第三代半导体技术创新中心（南京）宣布成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，这不仅标志着我国在半导体高端制造领域取得了重
2024-09-04 10:48 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥
2023-02-27 11:55
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅
2023-09-07 09:59
延迟时间。碳化硅MOSFET驱动信号传输延迟需小于200ns，传输延迟抖动小于20ns，可通过以下方式实现： · 采用数字隔离驱动芯片，可以达到信号传输延迟50ns，并且具有比较高的一致性，传输抖动
2023-02-27 16:03
芯联集成已全力挺进第三代半导体市场，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模组封装技术的研究开发与产能建设。短短两年间，芯联集成便已成功实现技术创新的三次重大飞跃，器件性能与国际顶级企业齐肩，并且已稳定实现6英寸
2023-12-26 10:02
9月3日，南京传来振奋人心的科技捷报：历经四年的潜心钻研与自主创新，国家第三代半导体技术创新中心（南京）在半导体科技领域取得了里程碑式的成就，成功解锁了沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的核心技术
2024-09-03 15:35
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20
