SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
)碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频(&am
2019-01-11 13:42
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06
桥电路，提高可靠性；由于拓扑简化，采用硅基650V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通，所以实际等效导通损耗会比采用全桥拓扑的1000V碳化硅MOSFET要大；低寄生电容如输入
2016-08-05 14:32
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
是一个接近正弦半波的波形，它的峰值电流非常高，而次级侧并没有滤波电感，因而需要更大的输出滤波电容。较大峰峰值电流会增加输出电容，同时带来输出电解电容寿命和可靠性的问题。 2. 碳化硅MOSFET在谐振
2016-08-25 14:39
第九部分 稳恒电流第一讲 基本知识介绍第八部分《稳恒电流》包括两大块：一是“恒定电流”，二是“物质的导电性”。前者是对于电路的外部计算，后者则是深入微观空间，去解释电流的成因和比较不同种类的物质导电
2021-09-17 06:54
