在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关
2025-01-13 14:36 广州万智光学技术有限公司 企业号
引言 在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意
2025-06-12 10:03 新启航半导体有限公司 企业号
摘要 本文聚焦碳化硅衬底 TTV 厚度测量过程，深入探究表面粗糙度对测量结果的影响机制，通过理论分析与实验验证，揭示表面粗糙度与测量误差的关联，为优化碳化硅衬底 TTV
2025-08-18 14:33 新启航半导体有限公司 企业号
摘要 本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪，系统阐述其操作规范与实用技巧，通过规范测量流程、分享操作要点，旨在提高测量准确性与效率，为半导体制造过程中碳化硅衬底
2025-08-20 12:01 新启航半导体有限公司 企业号
作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能，因此外延
2022-10-11 16:01
摘要 本文针对激光干涉法在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中存在的精度问题，深入分析影响测量精度的因素，从设备优化、环境控制、数据处理等多个维度提出精度提升策略，旨在为提高碳化硅衬
2025-08-12 13:20 新启航半导体有限公司 企业号
摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究，深入分析干扰产生的机理，提出多种解决策略，旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠
2025-08-08 11:38 新启航半导体有限公司 企业号
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅
2025-02-05 13:49
本文通过对比国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在性能、价格、维护成本等方面的差异，深入分析两者的性价比，旨在为半导体制造企业及科研机构选购测量设备提供科学依据，助力优化资源配置。 引言 在
2025-08-15 11:55 新启航半导体有限公司 企业号
