在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关
2025-01-13 14:36 广州万智光学技术有限公司 企业号
引言 在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意
2025-06-12 10:03 新启航半导体有限公司 企业号
作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能，因此外延
2022-10-11 16:01
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅
2025-02-05 13:49
摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了
2023-01-11 11:05
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的
2023-07-10 10:49
碳化硅衬底切割过程中，厚度不均匀问题严重影响其后续应用性能。传统固定进给量切割方式难以适应材料特性与切割工况变化，基于进给量梯度调节的方法为提升切割厚度均匀性提供了新思路，对推动碳化硅
2025-06-13 10:07 新启航半导体有限公司 企业号
SiC是碳化硅的缩写。它是一种由硅原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称，是一种用途广泛的材料。
2024-01-09 09:41
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合成。其晶体结构具有同质多型体的特点，在半导体领域最常见的是具有立
2023-02-06 16:45
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮
2023-12-08 09:49
