在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关
2025-01-13 14:36 广州万智光学技术有限公司 企业号
作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能，因此外延
2022-10-11 16:01
铝碳化硅砖是一种由铝、碳和硅组成的复合材料，具有良好的热导率、电绝缘性和耐磨性。可以用于电力电子设备、汽车电子设备、通信电子设备、家用电子设备和医疗电子设备等。
2023-02-15 17:15
摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了
2023-01-11 11:05
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的
2023-07-10 10:49
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅
2025-02-05 13:49
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的
2023-12-15 09:45
的制备成本相当高，因此人们通常希望能够从一个大型碳化硅晶锭中切割出尽可能多的薄碳化硅晶片衬底。而工业的发展使得晶片尺寸不断增大，这使人们对切割工艺的要求变得更加严格。然
2024-01-23 09:42
碳化硅衬底切割过程中，厚度不均匀问题严重影响其后续应用性能。传统固定进给量切割方式难以适应材料特性与切割工况变化，基于进给量梯度调节的方法为提升切割厚度均匀性提供了新思路，对推动碳化硅
2025-06-13 10:07 新启航半导体有限公司 企业号
