在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关
2025-01-13 14:36 广州万智光学技术有限公司 企业号
引言 在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意
2025-06-12 10:03 新启航半导体有限公司 企业号
碳化硅衬底切割过程中，厚度不均匀问题严重影响其后续应用性能。传统固定进给量切割方式难以适应材料特性与切割工况变化，基于进给量梯度调节的方法为提升切割厚度均匀性提供了新思路，对推动碳化硅
2025-06-13 10:07 新启航半导体有限公司 企业号
引言 在碳化硅衬底厚度测量中，探头温漂是影响测量精度的关键因素。传统测量探头受环境温度变化干扰大，导致测量数据偏差。光纤传感技术凭借独特的物理特性，为探头温漂抑制提供了新方向，对提升碳化硅
2025-06-05 09:43 新启航半导体有限公司 企业号
引言 碳化硅衬底 TTV（总厚度变化）厚度是衡量其质量的关键指标，直接影响半导体器件性能。合理选择测量仪器对准确获取 TTV 数据至关重要，不同应用场景对测量仪器的要求存在差异，深入分析选型要点
2025-06-03 13:48 新启航半导体有限公司 企业号
Lattice Parameters：晶格参数。确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配，以减少缺陷和应力。
2024-05-19 11:38
从实际情况上看，目前多数SiC都采用的4英寸、6英寸晶圆进行生产，而6英寸和8英寸的可用面积大约相差1.78倍，这也就意味着8英寸制造将会在很大程度上降低SiC的应用成本。但为什么目前市场上主流还是6英寸碳化硅衬底？
2023-06-20 15:01
引言 在碳化硅衬底厚度测量过程中，探头温漂会严重影响测量精度。构建探头温漂的热传导模型并进行实验验证，有助于深入理解探头温漂的产生机理，为提高测量准确性提供理论依据与技术支持。 热传导模型构建
2025-06-04 09:37 新启航半导体有限公司 企业号
引言 碳化硅衬底高温加工过程中，温度的剧烈变化会引发测量探头温漂，严重影响衬底厚度等参数的测量精度，进而干扰加工工艺的精准控制。探寻有效的动态修正方法，是保障高温加工质量与效率的关键所在。 温漂
2025-06-06 09:37 新启航半导体有限公司 企业号
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同
2023-12-15 09:45
