碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复
2020-11-17 15:55
碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于
2023-06-07 17:10
二次侧整流二极管通常使用FRD（快速恢复二极管）和SBD（肖特基势垒二极管）等，本文提到的基本半导体碳化硅
2022-07-26 14:43
能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点，使得在PFC电路（功率因数校正）
2023-04-17 16:36
我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成
2023-02-21 10:04
在当今快速发展的电力电子领域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中，碳化硅肖
2023-12-29 09:54
SiC碳化硅二极管起步电压为650V，电流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为：KN
2023-02-21 10:12
。 它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： （1）碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，
2021-01-13 09:42
碳化硅肖特基二极管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一种高性能半导体器件，具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点，广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。
2023-06-04 16:09
碳化硅的RDS（ON）较低，因而开关损耗也较低，通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、
2023-05-18 12:46
