的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅
2019-01-11 13:42
。 相对应的，硅材料的禁带宽度较低，在较低的温度下硅器件本征载流子浓度较高，而高的漏电流会造成热击穿，这限制了器件在高温环境和大功率耗散条件下工作。 碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 16:34
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电
2020-03-13 13:42
），P阱与N-形成的PiN会投入工作，减小浪涌时刻VF的增长，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力。 图（4）二极管正向与电流密度关系图 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基
2023-02-28 16:55
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括
2020-06-28 17:30
壓二極管 直接替代 穩壓器)合金法是自古以來 穩壓二極管的開山始祖 因為
2016-07-28 21:45
EMI;（3）碳化硅肖特基二极管 的QC更小，PFC开关频率提升时，使用碳化硅肖
2023-02-28 16:48
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关
2023-02-20 15:15
硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合，可提供最佳的性价比。混合碳化硅结合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基续流二极管
2023-02-20 16:29
