碳化硅肖特基功率二极管G5S06506CT产品规格书免费下载。
2022-08-30 09:42
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(
2019-01-11 13:42
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于
2019-01-02 13:57
肖特基二极管结构：肖特基二极管在结构原理上与。PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（金、银、铝、钼、铂等材料制造
2020-11-16 16:34
速度。MBR30100CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料MBR30100CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：A
2017-03-03 16:21
给大家分享下瞬态抑制二极管smbj的规格书哦。。。。。。。
2011-05-20 11:11
tvs瞬态抑制二极管p6ke系列规格书
2011-06-17 16:46
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00
