碳化硅肖特基功率二极管G3S06503D产品规格书免费下载。
2022-08-30 15:35
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅
2019-01-11 13:42
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电
2020-03-13 13:42
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于
2019-01-02 13:57
肖特基二极管结构：肖特基二极管在结构原理上与。PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（金、银、铝、钼、铂等材料制造
2020-11-16 16:34
` 在电子产品生产中，都会用到一种材料，它也因此被誉为电子行业的“生命之源”这种材料就是肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体
2019-02-20 12:01
给大家分享下瞬态抑制二极管smbj的规格书哦。。。。。。。
2011-05-20 11:11
tvs瞬态抑制二极管p6ke系列规格书
2011-06-17 16:46
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00
