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  • 碳化硅肖特基二极管的优点及应用

    碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)是一种单极型器件,采用结势垒肖特基二极管结构(JBS),因此相比于传统的硅快恢复

    2020-11-17 15:55

  • 碳化硅肖特基二极管的基本特征分析

    ,能够有效降低产品成本、体积及重量。  碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点,应用开关频率可达到1MHz,在高频应用中优势明显,其中碳化硅肖特基二极管(SiC J

    2023-02-28 16:34

  • 碳化硅肖特基二极管技术演进解析

    商用。  碳化硅肖特基二极管从2001年开始商用,至今已有20年商用积累,并在部分高中端电源市场批量应用,逐步向通用市场渗透,具备广阔的市场前景。  碳化硅材料在禁带宽

    2023-02-28 16:55

  • 碳化硅肖特基二极管的原理及应用

    碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接

    2023-06-07 17:10

  • 碳化硅肖特基二极管的原理及应用

    碳化硅肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一种高性能半导体器件,具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点,广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。

    2023-06-04 16:09

  • 1200V/10A碳化硅肖特基二极管

    Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度

    2020-03-13 13:42

  • 650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型

    不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件,没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态,所涉及的电荷只有结耗尽区电荷,而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断

    2020-09-24 16:22

  • 碳化硅肖特基二极管降低能源成本和空间要求

    相比硅二极管,GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。

    2018-07-06 15:11

  • 碳化硅肖特基二极管的优势和应用领域

    在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中,碳化硅

    2023-12-29 09:54

  • 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解

      导 读  追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力,基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管,这是基本半导体系

    2023-02-28 17:13