铝碳化硅砖是一种由铝、碳和硅组成的复合材料，具有良好的热导率、电绝缘性和耐磨性。可以用于电力电子设备、汽车电子设备、通信电子设备、家用电子设备和医疗电子设备等。
2023-02-15 17:15
使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终 得到了表面粗糙度低于0.1
2023-05-31 10:30
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮
2023-12-08 09:49
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造
2023-07-10 10:49
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。
2023-08-19 11:45
本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48
晶片切割是半导体器件制造的关键步骤，切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本，同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料，在电子领域中具有重要地位。高质量碳化硅晶体
2024-01-23 09:42
一、引言 化学机械抛光（CMP）工艺是实现碳化硅（SiC）衬底全局平坦化的关键技术，对提升衬底质量、保障后续器件性能至关重要。总厚度偏差（TTV）作为衡量碳化硅衬底质量的核心指标之一，其精确控制
2025-09-11 11:56 新启航半导体有限公司 企业号
一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料，其总厚度偏差（TTV）是衡量产品质量的关键指标，直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响，其中生长工艺参数起着决定性
2025-09-18 14:44 新启航半导体有限公司 企业号
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26
