碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展
2020-10-02 18:20
随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件
2023-12-14 09:14
电机碳化硅技术是一种利用碳化硅材料制作电机的技术，它是利用碳化硅材料的特性，如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等，来提
2023-02-16 17:54
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有
2024-01-09 09:26
随着全球能源危机和环境问题的日益突出，高效、环保、节能的电力电子技术成为了当今研究的热点。在这一领域，碳化硅（SiC）功率器件凭借其出色的物理性能和电学特性，正在逐步取代传统的硅基功率器件，引领着电力电子技术的发展方向。本文将详细介绍
2024-02-22 09:19
在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等
2024-09-13 10:56
碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中
2024-09-13 11:00
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要
2023-08-19 11:45
铝碳化硅基板是一种由铝碳化硅材料制成的电子元件基板，它具有良好的热稳定性、耐高温性、耐腐蚀性和耐电强度等特点。铝
2023-02-15 17:58
碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的电学特性，其中禁带宽度 （2.3~3.3eV）约是Si 的3倍，击穿电场强度（0.8×10⁶~3×10⁶V/cm）约是Si的10倍，饱和
2023-11-10 09:22
