碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体
2020-10-02 18:20
聚酰亚胺（Polyimide，PI）是指分子结构主链中含有酰亚胺结构的高分子聚合物，聚酰亚胺是一个非常庞大的家族，高性能PI的主链大多以芳环和杂环为主要结构单元。PI具有最高的阻燃等级（UL-94），良好的电气绝缘性能、机械性能、化学稳定性、耐老化性能、耐辐照性能
2023-08-23 14:59
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要
2023-08-19 11:45
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅
2024-01-09 09:26
电机碳化硅技术是一种利用碳化硅材料制作电机的技术，它是利用碳化硅材料的特性，如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等，来提
2023-02-16 17:54
碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的电学特性，其中禁带宽度 （2.3~3.3eV）约是Si 的3倍，击穿电场强度（0.8×10⁶~3×10⁶V/cm）约是Si的10倍，饱和
2023-11-10 09:22
