和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案,可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
)碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小,可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢复特性,反向恢复电流小,开关
2019-01-11 13:42
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
得到更低栅极开关驱动损耗(图1).碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示,同一额定电流900V的器件,碳化硅MOSFE
2016-08-05 14:32
`高端产品上的元器件应用选择.`
2015-12-31 11:30
直流快充,三相交流输入需要经过三相PFC整流输出电压为800V,因此后级隔离采用如图6左所示复杂三电平硅方案,碳化硅MOSFET可以使电路从复杂三电平变为两电平全桥电路[2],减小开关器件数量;(2
2016-08-25 14:39