碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅半导体材料的电力电子器件，近年来在功率电子领域迅速崭露头角。与传统的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的击穿电场、更高的热导率、更高的饱和电子漂移速度以及更高的工作温度
2024-09-11 10:25
使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终 得到了表面粗糙度低于0.1
2023-05-31 10:30
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造
2023-07-10 10:49
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮
2023-12-08 09:49
碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技术的关键技术包括结构设计、材料选择、
2023-02-15 16:19
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的
2023-12-15 09:45
碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。
2023-02-15 16:23
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。
2023-08-19 11:45
本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48
随着科技的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势。
2023-12-16 10:29
