迄今为止， 在碳化硅半导体领域，国际标准、国家标准、行业标准经过统计共有16项，远远滞后于该行业的发展，这对整个市场的秩序及行业的发展是很不利的，因此标准化制定这项工作大有可为。这16项标准基本均发布于近几年，所以近年来碳化
2018-07-18 08:43
碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，
2023-06-25 10:12
碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子
2023-10-09 16:38
在高端应用领域，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带
2022-07-06 12:49
第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势，且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其进行简单介绍。 以
2024-12-05 09:37
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。 在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42
随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。 编者按： 近年来，以氮化镓和碳化硅两种主要新材料为代
2022-10-28 11:04
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带
2023-12-27 14:54
半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以
2023-05-05 17:46
