半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以
2023-05-05 17:46
半导体则由氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等材料制成。 禁带宽度：功率半导体的禁带宽度相对较窄，通常在1eV左右，而
2024-07-31 09:07
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化
2023-02-07 17:57
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领
2024-01-09 09:26
在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带
2024-09-13 10:56
碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，由于其优于传统硅的性能，在电力电子行业中越来越受欢迎。
2023-11-08 09:30
碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能，使其在功率器件领域具有
2024-01-17 09:44
半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除
2020-05-28 09:58
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然
2023-12-08 09:49
碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代
2023-05-10 09:43
