碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽
2023-12-08 11:28
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在
2023-02-06 15:47
一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化
2022-12-13 10:01
氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位，它们将减少数十亿吨温室气体排放。
2023-08-07 14:22
引言 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种具有重要应用前景的第三代半导体材料。它们具有高热导率、高电子迁移率、高击穿场强等优异的物理化学性质，被广泛应用于高温、高频、高功率等极端环境下的电子器件
2024-09-02 11:19
1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性：
2023-12-27 14:54
硅基氮化镓技术是一种新型的氮化镓外延片技术，它可以提高外延片的热稳定性和抗拉强度，从而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19
氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分
2021-04-01 09:23
