本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48
碳化硅（SiC）是一种以碳和硅为主要成分的半导体材料，近年来在电子器件领域的应用迅速发展。相比传统的硅材料，碳化硅具有更高的击穿电场、更高的热导率和更高的电子饱和速度等优异特性，使其在高功率、高频和高温等极端条件
2024-08-07 16:42
碳化硅 （ SiC ）具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大，难以匹配 SiC 器件的快速开关特性，同时在高温工况下封装可靠性大幅
2023-12-27 09:41
高效率当然是一个优点，但有时“高”的说法并不准确，例如：家用电子设备散发出“较高”的热量，可以减轻您的中央供暖工作在寒冷气候中的工作量，或许能从能源使用和成本上得到好处，也可能会采用效率较低的锅炉。当你需要暖和的时候，如果你把白炽灯形容为“更高”，它可以在您需要温暖时成为非常高效的加热器。过去，功率转换器的效率提高是很难实现和测量的。而SiCFET则可以保证使所有的设计都得到改进。
2022-03-31 16:09
”的时代，光伏电站电压等级将从1000V提升至1500V及以上，对功率器件的物理性能提出了更高的要求，此时碳化硅进入了大众视野。
2023-11-06 09:42
以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体，可在更高温度、电压及频率环境正常工作，同时消耗电力更少，持久性和可靠性更强，将为下一代更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的电力电子产品提供飞跃的机遇。
2023-06-12 10:11
随着对电动汽车（EV）需求的持续增长，制造商正在比较两种半导体技术，即碳化硅和硅，用于电力电子应用。碳化硅（SiC）具有耐高温、低功耗、刚性，并支持EV电力电子设备所需的更小、更薄的设计。SiC当前
2023-09-27 09:48
目前，国内外碳化硅功率电子分立器件商业化产品主要有功率二极管和SiC MOSFET。SiC功率二极管分为肖特基二极管（SBD）、PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管三种。
2018-11-13 15:47
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的
2023-07-10 10:49
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同
2023-12-15 09:45
