碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的基础性材料。
2023-05-18 09:54
摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工
2023-01-11 11:05
为了解决难题，联合实验室采用的是提拉式物理气相传输（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法，成功生长出直径为6英寸（即150 mm）的碳化硅单晶，其厚度突破了100 mm。
2024-04-29 17:40
作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能，因此外延应用对碳化硅晶片表面质量的要求
2022-10-11 16:01
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能，在众多高端应用领域表现出色，已成为半导体材料技术的重要发展方向之一。SiC衬底分为导电型和半绝缘型两种，各自适用于不同的外延层和应用场景。
2024-01-17 09:38
据徐州日报报道，近日，徐州高新区再传捷报—— 江苏集芯先进材料有限公司（以下简称 “江苏集芯”）成功出炉首枚 8 英寸液相法（LPE）高质量碳化硅单晶。经检测，晶体面型、晶型与结晶质量均达到预期目标
2025-08-05 17:17
碳化硅具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、良好的耐辐射性和化学稳定性、GaN的近晶格常数和热膨胀系数等优势。
2023-12-18 11:25
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高
2024-01-16 09:46
9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴
2022-01-24 10:09 深圳市致知行科技有限公司 企业号
软包装复合胶粘剂龙头——高盟新材(300200.SZ)在半导体材料领域的投资取得新进展、新成效。
2024-01-03 10:00
